FDD8880

FDD8880 onsemi


FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8880 onsemi

Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDD8880 за ціною від 22.07 грн до 104.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD8880 FDD8880 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.61 грн
500+33.17 грн
1000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 Виробник : onsemi / Fairchild FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 38742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.66 грн
10+52.87 грн
100+31.92 грн
500+28.03 грн
1000+25.35 грн
2500+22.68 грн
5000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 Виробник : onsemi FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 4028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.78 грн
10+52.26 грн
100+36.19 грн
500+29.09 грн
1000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.95 грн
50+58.51 грн
100+40.61 грн
500+33.17 грн
1000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 Виробник : ON Semiconductor fdd8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD8880 SMD N channel transistors
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.24 грн
31+36.47 грн
85+34.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 Виробник : ON Semiconductor fdd8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 Виробник : ON Semiconductor fdd8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.