Продукція > ONSEMI > FDD8880
FDD8880

FDD8880 onsemi

FDD8880-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.11 грн
5000+20.59 грн
7500+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8880 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDD8880 за ціною від 17.12 грн до 87.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD8880 FDD8880 UMW 64b0486c2f3a4a516ccac44ee08f9abc.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.64 грн
10+40.15 грн
100+26.18 грн
500+18.94 грн
1000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 ONSEMI FDD8880-D.PDF 64b0486c2f3a4a516ccac44ee08f9abc.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.57 грн
10+63.26 грн
50+46.60 грн
100+39.71 грн
500+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 onsemi FDD8880-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 10498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.56 грн
10+53.28 грн
100+35.23 грн
500+25.77 грн
1000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 onsemi / Fairchild FDD8880-D.PDF MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 36412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 64b0486c2f3a4a516ccac44ee08f9abc.pdf
FDD8880
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.64 грн
10+40.15 грн
100+26.18 грн
500+18.94 грн
1000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880-D.PDF 64b0486c2f3a4a516ccac44ee08f9abc.pdf
FDD8880
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+73.57 грн
10+63.26 грн
50+46.60 грн
100+39.71 грн
500+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880-D.PDF
FDD8880
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 10498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.56 грн
10+53.28 грн
100+35.23 грн
500+25.77 грн
1000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880-D.PDF
FDD8880
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 36412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.