Продукція > ONSEMI > FDD8880
FDD8880

FDD8880 onsemi

FDD8880-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.11 грн
5000+20.59 грн
7500+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8880 onsemi

Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDD8880 за ціною від 17.12 грн до 87.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD8880 FDD8880 ON Semiconductor fdd8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.39 грн
5000+29.83 грн
7500+28.80 грн
12500+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 ON Semiconductor fdd8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.39 грн
5000+29.83 грн
7500+28.80 грн
12500+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 UMW 64b0486c2f3a4a516ccac44ee08f9abc.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.64 грн
10+40.15 грн
100+26.18 грн
500+18.94 грн
1000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 ONSEMI FDD8880-D.PDF 64b0486c2f3a4a516ccac44ee08f9abc.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.57 грн
10+63.26 грн
50+46.60 грн
100+39.71 грн
500+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 onsemi FDD8880-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 10498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.56 грн
10+53.28 грн
100+35.23 грн
500+25.77 грн
1000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 onsemi / Fairchild FDD8880-D.PDF MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 36412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 ON Semiconductor fdd8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 ONSEMI ONSM-S-A0014832056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880 ONSEMI ONSM-S-A0014832056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 fdd8880-d.pdf
FDD8880
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.39 грн
5000+29.83 грн
7500+28.80 грн
12500+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 fdd8880-d.pdf
FDD8880
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.39 грн
5000+29.83 грн
7500+28.80 грн
12500+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 64b0486c2f3a4a516ccac44ee08f9abc.pdf
FDD8880
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.64 грн
10+40.15 грн
100+26.18 грн
500+18.94 грн
1000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880-D.PDF 64b0486c2f3a4a516ccac44ee08f9abc.pdf
FDD8880
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+73.57 грн
10+63.26 грн
50+46.60 грн
100+39.71 грн
500+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880-D.PDF
FDD8880
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 10498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.56 грн
10+53.28 грн
100+35.23 грн
500+25.77 грн
1000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 FDD8880-D.PDF
FDD8880
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 36412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 fdd8880-d.pdf
FDD8880
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 ONSM-S-A0014832056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD8880
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880 ONSM-S-A0014832056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD8880
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.