FDD8880 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.83 грн |
| 5000+ | 23.00 грн |
| 7500+ | 22.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8880 onsemi
Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDD8880 за ціною від 19.13 грн до 109.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD8880 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD8880 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD8880 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V |
на замовлення 10498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD8880 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 36412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD8880 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FDD8880 | Виробник : ONSEMI |
FDD8880 SMD N channel transistors |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FDD8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDD8880 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |