FDD8896-VB VBsemi
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8896-VB VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS.
Інші пропозиції FDD8896-VB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD8896-VB | Виробник : VBsemi | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |