FDD8896-VB VBsemi
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 24.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8896-VB VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS, кількість в упаковці: 50 шт.
Інші пропозиції FDD8896-VB за ціною від 24.30 грн до 24.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD8896-VB | Виробник : VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 496 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
FDD8896-VB | Виробник : VBsemi | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |