Продукція > JGSEMI > FDD8896
FDD8896

FDD8896 JGSEMI

TFDD8896_JGS_JGSEMI_0001.pdf
Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8,5mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 JGSEMI TFDD8896 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8896 JGSEMI

Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 94A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 80W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDD8896 за ціною від 11.66 грн до 100.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD8896 FDD8896 HXY MOSFET TFDD8896_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 HXY MOSFET TFDD8896 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 UMW TFDD8896_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 onsemi FDD%2CFDU8896.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.22 грн
5000+24.33 грн
7500+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365645-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 851093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
472+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 472 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+53.84 грн
1000+49.66 грн
10000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+53.84 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 644436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+53.84 грн
1000+49.66 грн
10000+44.26 грн
100000+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+53.84 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 177926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+53.84 грн
1000+49.66 грн
10000+44.26 грн
100000+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+53.84 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 UMW 42bbb47de6fd43b0fb49fb18c8db8af6.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.07 грн
10+56.71 грн
100+37.60 грн
500+27.60 грн
1000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 onsemi FDD%2CFDU8896.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 18317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.10 грн
10+61.23 грн
100+40.83 грн
500+30.10 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 ONSEMI ONSM-S-A0013908983-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 onsemi FDD%2CFDU8896.pdf 42bbb47de6fd43b0fb49fb18c8db8af6.pdf FAIR-S-A0002365645-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 ONSEMI ONSM-S-A0013908983-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 TFDD8896_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf
FDD8896
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 HXY MOSFET TFDD8896 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 TFDD8896_UMW_UMW_0001.pdf
FDD8896
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD%2CFDU8896.pdf
FDD8896
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.22 грн
5000+24.33 грн
7500+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FAIR-S-A0002365645-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD8896
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 851093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
472+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 472 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 3652257317472082fdd8896.pdf
FDD8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
656+53.84 грн
1000+49.66 грн
10000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 3652257317472082fdd8896.pdf
FDD8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
656+53.84 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 3652257317472082fdd8896.pdf
FDD8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
656+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 3652257317472082fdd8896.pdf
FDD8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 644436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
656+53.84 грн
1000+49.66 грн
10000+44.26 грн
100000+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 3652257317472082fdd8896.pdf
FDD8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
656+53.84 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 3652257317472082fdd8896.pdf
FDD8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 177926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
656+53.84 грн
1000+49.66 грн
10000+44.26 грн
100000+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 3652257317472082fdd8896.pdf
FDD8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
656+53.84 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 42bbb47de6fd43b0fb49fb18c8db8af6.pdf
FDD8896
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.07 грн
10+56.71 грн
100+37.60 грн
500+27.60 грн
1000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD%2CFDU8896.pdf
FDD8896
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 18317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.10 грн
10+61.23 грн
100+40.83 грн
500+30.10 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 ONSM-S-A0013908983-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD8896
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 3652257317472082fdd8896.pdf
FDD8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD%2CFDU8896.pdf 42bbb47de6fd43b0fb49fb18c8db8af6.pdf FAIR-S-A0002365645-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD8896
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 ONSM-S-A0013908983-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD8896
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.