Продукція > ONSEMI > FDD8896
FDD8896

FDD8896 onsemi

FDD%2CFDU8896.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.18 грн
5000+26.08 грн
7500+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8896 onsemi

Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 94A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 80W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDD8896 за ціною від 10.36 грн до 122.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD8896 FDD8896 Виробник : ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.01 грн
10000+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013908983-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.83 грн
13+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 Виробник : ONSEMI FDD,FDU8896.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.84 грн
10+62.55 грн
23+39.76 грн
63+37.59 грн
500+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 Виробник : onsemi FDD%2CFDU8896.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 23910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.25 грн
10+65.27 грн
100+44.35 грн
500+33.27 грн
1000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 Виробник : onsemi / Fairchild FDD8896_D-3006443.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 9044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.12 грн
10+71.63 грн
100+42.49 грн
500+33.86 грн
1000+31.40 грн
2500+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 Виробник : ONSEMI FDD,FDU8896.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.21 грн
10+77.95 грн
23+47.72 грн
63+45.11 грн
500+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 Виробник : ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013908983-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 Виробник : HXY MOSFET FDD%2CFDU8896.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 HXY MOSFET TFDD8896 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 Виробник : UMW FDD%2CFDU8896.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 Виробник : VBsemi FDD%2CFDU8896.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896 TFDD8896 VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 Виробник : FAIRCHILD FDD%2CFDU8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
590+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 590
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 Виробник : FAIRCHILD FDD%2CFDU8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
590+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 590
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 Виробник : FAIRCHILD FDD%2CFDU8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
590+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 590
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 Виробник : FAIRCHILD FDD%2CFDU8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 177926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
590+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 590
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 Виробник : FAIRCHILD FDD%2CFDU8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
590+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 590
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 Виробник : FAIRCHILD FDD%2CFDU8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
590+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 590
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 Виробник : FAIRCHILD FDD%2CFDU8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 644436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
590+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 590
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 Виробник : ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 Виробник : ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896 FDD8896 Виробник : ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.