FDD8896 VBsemi
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896-VB TFDD8896 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 666 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 24.60 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
28-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
100 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8896 VBsemi
Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 94A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 80W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDD8896 за ціною від 24.60 грн до 128.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD8896 | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896-VB TFDD8896 VBSкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V |
на замовлення 843493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD8896 | onsemi |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 90 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDD8896 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDD8896 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 86 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD8896 | FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 643936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD8896 | FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD8896 | FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD8896 | FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD8896 | FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD8896 | FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD8896 | FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 172926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896-VB TFDD8896 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; YFW100N03AD; FDD8896-VB TFDD8896 VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 24.60 грн |
| FDD8896 |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.15 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 843493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 471+ | 43.16 грн |
| FDD8896 |
![]() |
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 101.81 грн |
| 10+ | 61.95 грн |
| 100+ | 41.10 грн |
| 500+ | 30.17 грн |
| 1000+ | 27.46 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 90 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.84 грн |
| 10+ | 79.56 грн |
| 100+ | 45.20 грн |
| 500+ | 36.86 грн |
| 1000+ | 32.91 грн |
| 2500+ | 29.98 грн |
| 5000+ | 28.81 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 643936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 654+ | 54.47 грн |
| 1000+ | 50.22 грн |
| 10000+ | 44.78 грн |
| 100000+ | 36.18 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 654+ | 54.47 грн |
| 1000+ | 50.22 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 654+ | 54.47 грн |
| 1000+ | 50.22 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 654+ | 54.47 грн |
| 1000+ | 50.22 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 654+ | 54.47 грн |
| 1000+ | 50.22 грн |





