FDD8896 JGSEMI
Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8,5mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 JGSEMI TFDD8896 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 9.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8896 JGSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDD8896 за ціною від 11.68 грн до 99.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD8896 | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 HXY MOSFET TFDD8896 HXYкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDD8896 | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8896 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8896 | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V |
на замовлення 851093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8896 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 11125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8896 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8896 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8896 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 644436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8896 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8896 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 177926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8896 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8896 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8896 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V |
на замовлення 18317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8896 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDD8896 | onsemi |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 4025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 HXY MOSFET TFDD8896 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 HXY MOSFET TFDD8896 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 11.68 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 19.19 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.97 грн |
| 5000+ | 24.11 грн |
| 7500+ | 23.65 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 851093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 472+ | 41.86 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 656+ | 53.96 грн |
| 1000+ | 49.77 грн |
| 10000+ | 44.36 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 656+ | 53.96 грн |
| 1000+ | 49.77 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 656+ | 53.96 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 644436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 656+ | 53.96 грн |
| 1000+ | 49.77 грн |
| 10000+ | 44.36 грн |
| 100000+ | 35.85 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 656+ | 53.96 грн |
| 1000+ | 49.77 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 177926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 656+ | 53.96 грн |
| 1000+ | 49.77 грн |
| 10000+ | 44.36 грн |
| 100000+ | 35.85 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 656+ | 53.96 грн |
| 1000+ | 49.77 грн |
| FDD8896 |
![]() |
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 92.21 грн |
| 10+ | 56.19 грн |
| 100+ | 37.26 грн |
| 500+ | 27.34 грн |
| 1000+ | 24.89 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 18317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 99.19 грн |
| 10+ | 60.67 грн |
| 100+ | 40.45 грн |
| 500+ | 29.83 грн |
| 1000+ | 27.21 грн |
| FDD8896 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





