FDD8896 JGSEMI
Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8,5mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 JGSEMI TFDD8896 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8896 JGSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDD8896 за ціною від 11.79 грн до 106.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD8896 | Виробник : HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 HXY MOSFET TFDD8896 HXYкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD8896 | Виробник : UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 UMW TFDD8896 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V |
на замовлення 851093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 11125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 644436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 177926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V |
на замовлення 18317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD8896 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 4025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
FDD8896 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |



