FDD9409-F085 ON Semiconductor


fdd9409_f085-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+105.85 грн
10+91.07 грн
25+90.42 грн
100+75.53 грн
250+69.40 грн
500+64.09 грн
1000+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD9409-F085 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD9409-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, Verlustleistung: 150W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Інші пропозиції FDD9409-F085 за ціною від 53.86 грн до 169.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD9409-F085 FDD9409-F085 ON Semiconductor fdd9409_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+105.85 грн
156+91.07 грн
157+90.42 грн
181+75.53 грн
250+69.40 грн
500+64.09 грн
1000+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085 FDD9409-F085 ON Semiconductor fdd9409_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+116.46 грн
500+104.81 грн
1000+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085 FDD9409-F085 ON Semiconductor fdd9409_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+116.46 грн
500+104.81 грн
1000+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085 FDD9409-F085 onsemi fdd9409_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.70 грн
10+105.22 грн
100+72.01 грн
500+54.25 грн
1000+53.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085 FDD9409-F085 onsemi fdd9409_f085-d.pdf MOSFETs N-channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085 FDD9409-F085 ONSEMI fdd9409_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDD9409-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085 FDD9409-F085 ONSEMI fdd9409_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDD9409-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085 fdd9409_f085-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
134+105.85 грн
156+91.07 грн
157+90.42 грн
181+75.53 грн
250+69.40 грн
500+64.09 грн
1000+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085 fdd9409_f085-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
304+116.46 грн
500+104.81 грн
1000+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085 fdd9409_f085-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
304+116.46 грн
500+104.81 грн
1000+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085 fdd9409_f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.70 грн
10+105.22 грн
100+72.01 грн
500+54.25 грн
1000+53.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085 fdd9409_f085-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs N-channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085 fdd9409_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD9409-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD9409-F085 fdd9409_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD9409-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.