
на замовлення 9778 шт:
термін постачання 482-491 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 230.88 грн |
2500+ | 104.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD9507L-F085 onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 100A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: D-PAK (TO-252), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDD9507L-F085
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FDD9507L-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2045 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
FDD9507L-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDD9507L-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D-PAK (TO-252) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDD9507L-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D-PAK (TO-252) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |