FDFM2P110 ON Semiconductor / Fairchild
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDFM2P110 ON Semiconductor / Fairchild
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDFM2P110
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FDFM2P110 | Виробник : FAIRCHIL |
 QFN6 0905+ |
на замовлення 56074 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FDFM2P110 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
FDFM2P110 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |