Продукція > ONSEMI > FDFMA2N028Z
FDFMA2N028Z

FDFMA2N028Z onsemi

fdfma2n028z-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tj)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.20 грн
6000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDFMA2N028Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.4W (Tj), FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDFMA2N028Z за ціною від 32.05 грн до 81.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDFMA2N028Z FDFMA2N028Z onsemi fdfma2n028z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tj)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.49 грн
10+48.91 грн
100+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDFMA2N028Z ON Semiconductor / Fairchild FDFMA2N028Z-1305521.pdf MOSFET 20V N-Ch PT MFET SCHOTTKY
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDFMA2N028Z fdfma2n028z-d.pdf
FDFMA2N028Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tj)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+81.49 грн
10+48.91 грн
100+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDFMA2N028Z FDFMA2N028Z-1305521.pdf
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 20V N-Ch PT MFET SCHOTTKY
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.