FDFMA2P853 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
на замовлення 2131833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 825+ | 28.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDFMA2P853 onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDFMA2P853 за ціною від 30.69 грн до 32.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDFMA2P853 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FDFMA2P853 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 19338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FDFMA2P853 | Виробник : FAI |
QFN 0632+ |
на замовлення 1306 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| FDFMA2P853 | Виробник : FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 9018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| FDFMA2P853 | Виробник : FAIROHILD |
QFN |
на замовлення 10900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| FDFMA2P853 | Виробник : FSC |
|
на замовлення 1845 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
|
FDFMA2P853 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||
|
FDFMA2P853 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
FDFMA2P853 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs MLP 2X2 DUAL INTEGRATED PCH PO |
товару немає в наявності |
