
FDFMA2P853 onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
на замовлення 2131833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
825+ | 27.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDFMA2P853 onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDFMA2P853 за ціною від 30.25 грн до 32.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDFMA2P853 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FDFMA2P853 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 19338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
FDFMA2P853 | Виробник : FAI |
![]() |
на замовлення 1306 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
FDFMA2P853 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 9018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
FDFMA2P853 | Виробник : FAIROHILD |
![]() |
на замовлення 10900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
FDFMA2P853 | Виробник : FSC |
![]() |
на замовлення 1845 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
![]() |
FDFMA2P853 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
FDFMA2P853 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
FDFMA2P853 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |