Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDFMA2P853T
FDFMA2P853T

FDFMA2P853T Fairchild Semiconductor

FAIRS27483-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
на замовлення 13740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1110+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1110
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDFMA2P853T Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 7-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDFMA2P853T за ціною від 28.18 грн до 65.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDFMA2P853T FDFMA2P853T Виробник : onsemi / Fairchild fairchild_semiconductor_fdfma2p853t-1191175.pdf MOSFET MOSFET/Schottky -20V Int. PCh PowerTrenc
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.23 грн
10+55.92 грн
100+33.69 грн
500+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDFMA2P853T FDFMA2P853T Виробник : onsemi FDFMA2P853T.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 7-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.