на замовлення 64877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 887+ | 34.35 грн |
| 1000+ | 32.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDFMA3N109 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDFMA3N109
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FDFMA3N109 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
 MOSFET PowerTrench MOSFET and Schottky Diode |
на замовлення 5706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
| FDFMA3N109 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
FDFMA3N109 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
FDFMA3N109 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |