Продукція > ONSEMI > FDFME3N311ZT
FDFME3N311ZT

FDFME3N311ZT onsemi

FAIRS29365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-UMLP (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 1.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1211+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDFME3N311ZT onsemi

Description: ONSEMI - FDFME3N311ZT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.8 A, 0.235 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: MicroFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Power Trench Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDFME3N311ZT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDFME3N311ZT FDFME3N311ZT ON Semiconductor / Fairchild FDFME3N311ZT-1300418.pdf MOSFET Int. NCh PowerTrench MOSFET & Sch. Diode
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDFME3N311ZT FDFME3N311ZT ONSEMI ONSM-S-A0003590428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDFME3N311ZT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.8 A, 0.235 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Power Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 534789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDFME3N311ZT FDFME3N311ZT-1300418.pdf
FDFME3N311ZT
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET Int. NCh PowerTrench MOSFET & Sch. Diode
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDFME3N311ZT ONSM-S-A0003590428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDFME3N311ZT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDFME3N311ZT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.8 A, 0.235 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Power Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 534789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.