Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDFS2P102A
FDFS2P102A

FDFS2P102A Fairchild Semiconductor

FAIRS34995-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 196107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDFS2P102A Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDFS2P102A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDFS2P102A Виробник : FAIRCHILD FAIRS34995-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDFS2P102A.pdf 07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDFS2P102A FDFS2P102A Виробник : onsemi FDFS2P102A.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.