FDFS2P753Z onsemi
Виробник: onsemi
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 698+ | 28.94 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
698 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDFS2P753Z onsemi
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDFS2P753Z за ціною від 28.94 грн до 39.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDFS2P753Z | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V |
на замовлення 416558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FDFS2P753Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FDFS2P753Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
FDFS2P753Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDFS2P753Z - MOSFET, P, SCHOTTKY, SMD, SO-8 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDFS2P753Z |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 10 V
на замовлення 416558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 698+ | 28.94 грн |
| FDFS2P753Z |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 39.43 грн |
| 22+ | 35.78 грн |
| 25+ | 35.04 грн |
| FDFS2P753Z |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDFS2P753Z |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDFS2P753Z - MOSFET, P, SCHOTTKY, SMD, SO-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDFS2P753Z - MOSFET, P, SCHOTTKY, SMD, SO-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)