FDG311N Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 65140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1466+ | 13.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDG311N Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDG311N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDG311N | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET SC70-6 N-CH 20V |
на замовлення 5592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FDG311N | Виробник : FAI |
0452+ |
на замовлення 834 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDG311N | Виробник : FSC |
|
на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |