Технічний опис FDG327N ON Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1.5A, Power dissipation: 0.42W, Case: SC70-6; SC88; SOT363, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 0.115Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDG327N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDG327N | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
 MOSFET 20V N-Ch PowerTrench |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FDG327N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.42W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
FDG327N | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88 |
товар відсутній |
|
| FDG327N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.42W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |