
FDG330P ONSEMI

Description: ONSEMI - FDG330P - MOSFET, P, SMD, SC70-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 219496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 27.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDG330P ONSEMI
Description: MOSFET P-CH 12V 2A SC88, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6), Part Status: Active, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V.
Інші пропозиції FDG330P за ціною від 28.25 грн до 28.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDG330P | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V |
на замовлення 219496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
FDG330P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V |
на замовлення 30040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
FDG330P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
FDG330P |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
![]() |
FDG330P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FDG330P | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |