FDG6303N

FDG6303N ON Semiconductor


fdg6303n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6303N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDG6303N за ціною від 6.78 грн до 44.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDG6303N FDG6303N Виробник : ON Semiconductor fdg6303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N FDG6303N Виробник : onsemi fdg6303n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.83 грн
6000+8.15 грн
9000+7.33 грн
30000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N FDG6303N Виробник : ONSEMI fdg6303n-d.pdf Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.98 грн
500+9.60 грн
1500+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N FDG6303N Виробник : onsemi fdg6303n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 54810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.18 грн
13+24.42 грн
100+14.66 грн
500+12.74 грн
1000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N FDG6303N Виробник : onsemi / Fairchild FDG6303N_D-2312202.pdf MOSFET SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 64553 шт:
термін постачання 422-431 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.00 грн
12+29.21 грн
100+16.18 грн
1000+9.72 грн
3000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N FDG6303N Виробник : ONSEMI fdg6303n-d.pdf Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.28 грн
50+26.46 грн
100+14.00 грн
500+12.40 грн
1500+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N Виробник : ONSEMI fdg6303n-d.pdf FDG6303N Multi channel transistors
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+32.82 грн
90+12.32 грн
240+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N Виробник : ON-Semicoductor fdg6303n-d.pdf Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6303N TFDG6303n
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.