FDG6304P TECH PUBLIC
Виробник: TECH PUBLIC
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 7.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDG6304P TECH PUBLIC
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88, Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Power - Max: 300mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDG6304P за ціною від 7.50 грн до 60.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDG6304P | TECH PUBLIC |
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 439 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDG6304P | onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88 Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Power - Max: 300mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDG6304P | ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Mounting: SMD Drain-source voltage: -25V Drain current: -0.41A Gate charge: 1.5nC On-state resistance: 1.9Ω Power dissipation: 0.3W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDG6304P | onsemi / Fairchild |
MOSFETs SC70-6 P-CH -25V |
на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDG6304P |
|
Виробник: TECH PUBLIC
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p
кількість в упаковці: 100 шт
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6) FDG6304P TFDG6304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 439 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 7.50 грн |
| FDG6304P |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.43 грн |
| 10+ | 32.54 грн |
| 100+ | 22.63 грн |
| FDG6304P |
|
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Power dissipation: 0.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Power dissipation: 0.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 60.58 грн |
| 12+ | 34.91 грн |
| 100+ | 23.16 грн |
| 250+ | 19.85 грн |
| 500+ | 17.87 грн |
| 1000+ | 16.13 грн |
| FDG6304P |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SC70-6 P-CH -25V
MOSFETs SC70-6 P-CH -25V
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)