Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDG6306P
FDG6306P

FDG6306P ON Semiconductor

fdg6306p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 14197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.94 грн
22+27.80 грн
25+27.47 грн
50+25.67 грн
100+19.58 грн
250+18.59 грн
500+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6306P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDG6306P за ціною від 11.32 грн до 44.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDG6306P FDG6306P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013184668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.67 грн
500+23.45 грн
3000+12.24 грн
9000+11.46 грн
24000+11.39 грн
45000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306P FDG6306P Виробник : ONSEMI 671609.pdf Description: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.90 грн
20+42.01 грн
100+33.67 грн
500+23.45 грн
3000+12.24 грн
9000+11.46 грн
24000+11.39 грн
45000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306P FDG6306P Виробник : ON Semiconductor 3659192802580313fdg6306p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306P FDG6306P Виробник : ON Semiconductor 3659192802580313fdg6306p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306P FDG6306P Виробник : onsemi fdg6306p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306P FDG6306P Виробник : onsemi fdg6306p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6306P FDG6306P Виробник : onsemi / Fairchild FDG6306P_D-2312319.pdf MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.