Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDG6308P onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDG6308P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.27 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 600, Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 300, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: PowerTrench, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 900, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FDG6308P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDG6308P | ON Semiconductor |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 |
на замовлення 5928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
FDG6308P | ON Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDG6308P |
|
Виробник: ON Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDG6308P |
|
Виробник: ON Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)