FDG6308P onsemi / Fairchild


FDG6308P_D-2312264.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 346-355 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.56 грн
10+39.36 грн
3000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 346-355 дні (днів)
Мінімальна партія: 8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6308P onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDG6308P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.27 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 600, Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 300, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: PowerTrench, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 900, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FDG6308P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDG6308P FDG6308P ON Semiconductor fdg6308p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308P FDG6308P ON Semiconductor fdg6308p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308P fdg6308p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6308P fdg6308p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.