Продукція > ONSEMI > FDG6317NZ
FDG6317NZ

FDG6317NZ onsemi

fdg6317nz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6317NZ onsemi

Description: ONSEMI - FDG6317NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SC-70, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 300mW, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDG6317NZ за ціною від 4.49 грн до 41.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDG6317NZ FDG6317NZ Виробник : ON Semiconductor fdg6317nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZ FDG6317NZ Виробник : ON Semiconductor fdg6317nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZ FDG6317NZ Виробник : onsemi fdg6317nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.55 грн
14+22.40 грн
100+11.30 грн
500+9.40 грн
1000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZ FDG6317NZ Виробник : onsemi / Fairchild FDG6317NZ_D-2312171.pdf MOSFET Dual 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 43417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.25 грн
13+26.08 грн
100+14.09 грн
1000+7.34 грн
3000+6.61 грн
9000+5.72 грн
24000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZ FDG6317NZ Виробник : ONSEMI 1483965.pdf Description: ONSEMI - FDG6317NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SC-70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 300mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 53305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.16 грн
28+29.89 грн
100+16.63 грн
500+10.78 грн
1000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZ FDG6317NZ Виробник : ON Semiconductor fdg6317nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZ Виробник : ON-Semicoductor fdg6317nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 FDG6317NZ TFDG6317NZ
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6317NZ Виробник : ONSEMI fdg6317nz-d.pdf FDG6317NZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.