Продукція > ONSEMI > FDG6322C
FDG6322C

FDG6322C onsemi

fdg6322c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6322C onsemi

Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDG6322C за ціною від 9.24 грн до 32.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDG6322C FDG6322C ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.53 грн
6000+17.04 грн
9000+16.60 грн
12000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
573+25.73 грн
665+22.18 грн
671+22.00 грн
828+17.18 грн
1000+13.20 грн
3000+12.32 грн
6000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.05 грн
30+26.59 грн
100+21.01 грн
250+19.29 грн
500+15.10 грн
1000+12.53 грн
3000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C onsemi fdg6322c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.94 грн
12+26.15 грн
100+18.17 грн
500+13.32 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C onsemi / Fairchild FDG6322C_D-2312203.pdf MOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
10+32.86 грн
12+26.82 грн
100+18.17 грн
500+14.31 грн
1000+11.59 грн
3000+9.92 грн
9000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C ONSEMI fdg6322c-d.pdf Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.53 грн
6000+17.04 грн
9000+16.60 грн
12000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
573+25.73 грн
665+22.18 грн
671+22.00 грн
828+17.18 грн
1000+13.20 грн
3000+12.32 грн
6000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+31.05 грн
30+26.59 грн
100+21.01 грн
250+19.29 грн
500+15.10 грн
1000+12.53 грн
3000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.94 грн
12+26.15 грн
100+18.17 грн
500+13.32 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C_D-2312203.pdf
FDG6322C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.86 грн
12+26.82 грн
100+18.17 грн
500+14.31 грн
1000+11.59 грн
3000+9.92 грн
9000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.