FDG6322C ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDG6322C ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDG6322C за ціною від 8.30 грн до 55.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDG6322C | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDG6322C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDG6322C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDG6322C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDG6322C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 11997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDG6322C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 11997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDG6322C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
на замовлення 5836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDG6322C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH |
на замовлення 25600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDG6322C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDG6322C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FDG6322C | Виробник : ONSEMI |
FDG6322C Multi channel transistors |
на замовлення 1501 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDG6322C |
|
на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
FDG6322C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |