Продукція > ONSEMI > FDG6322C
FDG6322C

FDG6322C onsemi

fdg6322c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6322C onsemi

Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDG6322C за ціною від 10.36 грн до 31.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDG6322C FDG6322C ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.78 грн
6000+16.31 грн
9000+15.89 грн
12000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
573+24.63 грн
665+21.23 грн
671+21.06 грн
828+16.45 грн
1000+12.63 грн
3000+11.79 грн
6000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.72 грн
30+25.46 грн
100+20.11 грн
250+18.46 грн
500+14.45 грн
1000+12.00 грн
3000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C onsemi fdg6322c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.28 грн
12+25.61 грн
100+17.80 грн
500+13.04 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C onsemi / Fairchild FDG6322C_D-2312203.pdf MOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C ONSEMI fdg6322c-d.pdf Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.78 грн
6000+16.31 грн
9000+15.89 грн
12000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
573+24.63 грн
665+21.23 грн
671+21.06 грн
828+16.45 грн
1000+12.63 грн
3000+11.79 грн
6000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 11997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+29.72 грн
30+25.46 грн
100+20.11 грн
250+18.46 грн
500+14.45 грн
1000+12.00 грн
3000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.28 грн
12+25.61 грн
100+17.80 грн
500+13.04 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C_D-2312203.pdf
FDG6322C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.