FDG6332C-F085 onsemi / Fairchild


FDG6332C_F085_D-2312172.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 20V N&P Chan PowerTrench
на замовлення 17960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6332C-F085 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6), Part Status: Obsolete, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDG6332C-F085

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDG6332C-F085 FDG6332C-F085 onsemi fdg6332c_f085-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085 FDG6332C-F085 ONSEMI 2304811.pdf Description: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 700
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1
Bauform - Transistor: SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085 FDG6332C-F085 ONSEMI 2304811.pdf Description: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C_F085 ON Semiconductor Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C_F085 ON Semiconductor Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085 fdg6332c_f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085 2304811.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 700
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1
Bauform - Transistor: SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C-F085 2304811.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C_F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6332C_F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.