Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDG6335N
FDG6335N

FDG6335N ON Semiconductor

fdg6335n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6335N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDG6335N за ціною від 10.25 грн до 65.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
946+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 946
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : onsemi fdg6335n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.71 грн
6000+12.53 грн
9000+11.63 грн
30000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.79 грн
6000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.33 грн
18000+17.67 грн
36000+16.44 грн
54000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+31.29 грн
22+28.28 грн
25+27.09 грн
100+20.25 грн
250+18.41 грн
500+15.07 грн
1000+12.04 грн
3000+10.30 грн
6000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : onsemi fdg6335n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 46979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.49 грн
10+33.48 грн
100+23.27 грн
500+17.05 грн
1000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.34 грн
12+34.55 грн
50+26.83 грн
55+16.59 грн
149+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013711006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+55.82 грн
50+37.21 грн
100+25.44 грн
500+18.65 грн
1500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : onsemi / Fairchild FDG6335N_D-2312732.pdf MOSFETs FDG6335N
на замовлення 12279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.76 грн
10+38.40 грн
100+22.68 грн
500+17.83 грн
1000+16.22 грн
3000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 442mΩ
Gate charge: 1.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.20 грн
10+43.06 грн
50+32.20 грн
55+19.91 грн
149+18.90 грн
1000+18.44 грн
3000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.