Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDG6335N
FDG6335N

FDG6335N ON Semiconductor

fdg6335n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
946+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 946
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6335N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDG6335N за ціною від 11.44 грн до 65.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : onsemi fdg6335n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.71 грн
6000+13.44 грн
9000+12.48 грн
30000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.55 грн
6000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.26 грн
18000+18.52 грн
36000+17.23 грн
54000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.85 грн
22+34.20 грн
25+32.76 грн
100+24.49 грн
250+22.27 грн
500+18.23 грн
1000+14.56 грн
3000+12.46 грн
6000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : onsemi fdg6335n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 46979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.43 грн
10+35.92 грн
100+24.96 грн
500+18.29 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 442mΩ
Drain current: 0.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.75 грн
12+34.36 грн
50+26.73 грн
100+23.78 грн
250+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : onsemi / Fairchild FDG6335N_D-2312732.pdf MOSFETs FDG6335N
на замовлення 12279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.11 грн
10+41.19 грн
100+24.33 грн
500+19.13 грн
1000+17.40 грн
3000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF225B70BA1E28&compId=FDG6335N.pdf?ci_sign=0eb5f0294b8975f49c17aba4e9359e5b82bbaf06 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 442mΩ
Drain current: 0.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.71 грн
10+42.82 грн
50+32.08 грн
100+28.54 грн
250+24.21 грн
500+21.26 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013711006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013711006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.