Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDG6335N
FDG6335N

FDG6335N ON Semiconductor

fdg6335n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6335N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDG6335N за ціною від 10.04 грн до 45.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.32 грн
6000+ 12.3 грн
9000+ 11.51 грн
24000+ 10.86 грн
30000+ 10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.14 грн
6000+ 14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.53 грн
18000+ 16.94 грн
36000+ 15.76 грн
54000+ 14.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+34.44 грн
20+ 30.1 грн
25+ 28.26 грн
100+ 21.16 грн
250+ 19.4 грн
500+ 15.06 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
315+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 315
FDG6335N FDG6335N Виробник : onsemi / Fairchild FDG6335N_D-2312732.pdf MOSFET FDG6335N
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.78 грн
10+ 33.31 грн
100+ 21.71 грн
500+ 17.11 грн
1000+ 13.72 грн
3000+ 11.99 грн
9000+ 10.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDG6335N FDG6335N Виробник : onsemi fdg6335n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.78 грн
10+ 34.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDG6335N FDG6335N Виробник : ONSEMI 269753.pdf Description: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+45.57 грн
20+ 37.58 грн
100+ 25.32 грн
500+ 15.19 грн
3000+ 10.89 грн
9000+ 10.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDG6335N Виробник : ONSEMI fdg6335n-d.pdf FDG6335N Multi channel transistors
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.62 грн
55+ 17.98 грн
149+ 16.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
FDG6335N FDG6335N Виробник : onsemi fdg6335n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
товар відсутній