
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 12.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDG6335N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDG6335N за ціною від 10.27 грн до 65.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDG6335N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
на замовлення 46979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 442mΩ Gate charge: 1.4nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.7A |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 12279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 442mΩ Gate charge: 1.4nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.7A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 477 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
FDG6335N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |