Продукція > ONSEMI > FDG6335N
FDG6335N

FDG6335N onsemi

fdg6335n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.45 грн
6000+12.29 грн
9000+11.41 грн
30000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6335N onsemi

Description: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDG6335N за ціною від 11.98 грн до 65.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
946+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 946
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.82 грн
6000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.59 грн
18000+18.82 грн
36000+17.51 грн
54000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.46 грн
22+34.76 грн
25+33.29 грн
100+24.89 грн
250+22.63 грн
500+18.52 грн
1000+14.80 грн
3000+12.66 грн
6000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : onsemi fdg6335n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 46979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.72 грн
10+32.85 грн
100+22.83 грн
500+16.73 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : onsemi / Fairchild FDG6335N_D-2312732.pdf MOSFETs FDG6335N
на замовлення 12279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.37 грн
10+36.22 грн
100+21.39 грн
500+16.82 грн
1000+15.30 грн
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N Виробник : ONSEMI fdg6335n-d.pdf FDG6335N Multi channel transistors
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.90 грн
69+17.30 грн
188+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ON Semiconductor fdg6335n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013711006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6335N FDG6335N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013711006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.