Продукція > ONSEMI > FDG8850NZ
FDG8850NZ

FDG8850NZ onsemi

fdg8850nz-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG8850NZ onsemi

Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 360mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDG8850NZ за ціною від 12.81 грн до 61.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDG8850NZ FDG8850NZ ON Semiconductor fdg8850nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.39 грн
6000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ FDG8850NZ ON Semiconductor fdg8850nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.50 грн
6000+19.96 грн
9000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ FDG8850NZ ON Semiconductor fdg8850nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+27.93 грн
643+21.97 грн
648+21.81 грн
740+18.41 грн
1000+15.24 грн
3000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ FDG8850NZ ON Semiconductor fdg8850nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.96 грн
27+27.93 грн
100+21.18 грн
250+19.47 грн
500+16.36 грн
1000+14.63 грн
3000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ FDG8850NZ onsemi fdg8850nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.78 грн
10+37.05 грн
100+23.96 грн
500+17.21 грн
1000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ FDG8850NZ onsemi / Fairchild FDG8850NZ_D-2312505.pdf MOSFETs 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 95783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ FDG8850NZ ONSEMI 2304522.pdf Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ FDG8850NZ ONSEMI 2304522.pdf Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ Aptina Imaging fdg8850nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.65 грн
6000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ fdg8850nz-d.pdf
FDG8850NZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.39 грн
6000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ fdg8850nz-d.pdf
FDG8850NZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.50 грн
6000+19.96 грн
9000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ fdg8850nz-d.pdf
FDG8850NZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
506+27.93 грн
643+21.97 грн
648+21.81 грн
740+18.41 грн
1000+15.24 грн
3000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ fdg8850nz-d.pdf
FDG8850NZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+34.96 грн
27+27.93 грн
100+21.18 грн
250+19.47 грн
500+16.36 грн
1000+14.63 грн
3000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ fdg8850nz-d.pdf
FDG8850NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.78 грн
10+37.05 грн
100+23.96 грн
500+17.21 грн
1000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ FDG8850NZ_D-2312505.pdf
FDG8850NZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 95783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ 2304522.pdf
FDG8850NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ 2304522.pdf
FDG8850NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG8850NZ fdg8850nz-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.65 грн
6000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.