FDG8850NZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.49 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDG8850NZ onsemi
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 360mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDG8850NZ за ціною від 12.87 грн до 60.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDG8850NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDG8850NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDG8850NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDG8850NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDG8850NZ | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) |
на замовлення 4382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDG8850NZ | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 95783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDG8850NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 360mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDG8850NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 360mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 99 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDG8850NZ | Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDG8850NZ | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG8850NZ TFDG8850NZкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| FDG8850NZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.46 грн |
| 6000+ | 12.87 грн |
| FDG8850NZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.59 грн |
| 6000+ | 20.05 грн |
| 9000+ | 19.29 грн |
| FDG8850NZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 506+ | 28.06 грн |
| 643+ | 22.07 грн |
| 648+ | 21.91 грн |
| 740+ | 18.49 грн |
| 1000+ | 15.31 грн |
| 3000+ | 12.89 грн |
| FDG8850NZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 35.12 грн |
| 27+ | 28.06 грн |
| 100+ | 21.28 грн |
| 250+ | 19.56 грн |
| 500+ | 16.43 грн |
| 1000+ | 14.69 грн |
| 3000+ | 12.89 грн |
| FDG8850NZ |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 4382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.66 грн |
| 10+ | 36.38 грн |
| 100+ | 23.53 грн |
| 500+ | 16.89 грн |
| 1000+ | 15.22 грн |
| FDG8850NZ |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET
MOSFETs 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 95783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDG8850NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDG8850NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDG8850NZ |
![]() |
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.72 грн |
| 6000+ | 13.09 грн |
| FDG8850NZ |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG8850NZ TFDG8850NZ
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI FDG8850NZ TFDG8850NZ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 15.74 грн |





