Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDH038AN08A1
FDH038AN08A1

FDH038AN08A1 Fairchild Semiconductor

FAIRS45999-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 75V 22A/80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8665 pF @ 25 V
на замовлення 4541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+487.12 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDH038AN08A1 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 75V 22A/80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 450W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8665 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDH038AN08A1 за ціною від 412.72 грн до 851.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDH038AN08A1 FDH038AN08A1 Виробник : onsemi / Fairchild FDH038AN08A1_D-1807432.pdf MOSFETs N-Ch PowerTrench
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+589.65 грн
10+511.00 грн
450+415.66 грн
900+414.19 грн
2700+412.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDH038AN08A1 FDH038AN08A1 Виробник : onsemi fdh038an08a1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 22A/80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8665 pF @ 25 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+851.52 грн
10+568.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDH038AN08A1 Виробник : ONSEMI FAIRS45999-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDH038AN08A1 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDH038AN08A1 FDH038AN08A1 Виробник : ON Semiconductor fdh038an08a1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDH038AN08A1 Виробник : ONSEMI FAIRS45999-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdh038an08a1-d.pdf FDH038AN08A1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.