
FDH055N15A ON Semiconductor
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 302.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDH055N15A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 156A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDH055N15A за ціною від 254.75 грн до 731.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDH055N15A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDH055N15A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDH055N15A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 118A Power dissipation: 429W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDH055N15A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 158A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9445 pF @ 75 V |
на замовлення 18239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDH055N15A | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 4943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDH055N15A | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 156A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDH055N15A | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 118A Power dissipation: 429W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDH055N15A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDH055N15A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |