FDH055N15A ON Semiconductor
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 313.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDH055N15A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 4800 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 156A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDH055N15A за ціною від 249.28 грн до 748.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDH055N15A | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 158A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9445 pF @ 75 V |
на замовлення 10953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDH055N15A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 4800 µohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 156A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDH055N15A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 5026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDH055N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDH055N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDH055N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDH055N15A | Виробник : ONSEMI |
FDH055N15A THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
FDH055N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |