FDH3632 ON Semiconductor
на замовлення 39150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 450+ | 188.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDH3632 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDH3632 за ціною від 145.01 грн до 431.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDH3632 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDH3632 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDH3632 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
на замовлення 39459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDH3632 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs TO-247 / FDH3632 |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDH3632 | Виробник : FAIRCHILD |
TO-3PL |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
FDH3632 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDH3632 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDH3632 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDH3632 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |