
FDH50N50-F133 ON Semiconductor
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 589.14 грн |
24+ | 517.06 грн |
26+ | 473.59 грн |
100+ | 433.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDH50N50-F133 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDH50N50-F133 за ціною від 374.29 грн до 704.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDH50N50-F133 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDH50N50-F133 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDH50N50-F133 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDH50N50_F133 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDH50N50-F133 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |