Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDI038AN06A0
FDI038AN06A0

FDI038AN06A0 Fairchild Semiconductor

FAIRS45677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+223.40 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDI038AN06A0 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDI038AN06A0 за ціною від 276.60 грн до 288.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDI038AN06A0 FDI038AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdp038an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+288.48 грн
500+276.60 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdp038an06a0-d.pdf FAIRS45677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0 FDI038AN06A0 Виробник : onsemi fdp038an06a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0 FDI038AN06A0 Виробник : onsemi / Fairchild FDP038AN06A0_D-2312691.pdf MOSFETs 60V 80a 0.0038 Ohms/VGS=10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.