FDI045N10A-F102 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 377.49 грн |
| 50+ | 189.51 грн |
| 100+ | 172.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDI045N10A-F102 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDI045N10A-F102 за ціною від 134.57 грн до 386.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDI045N10A-F102 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm |
на замовлення 3550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FDI045N10A-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 9900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FDI045N10A-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FDI045N10A-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FDI045N10A-F102 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 263W; I2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 164A Pulsed drain current: 656A Power dissipation: 263W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |