на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 244.36 грн |
| 10+ | 131.30 грн |
| 100+ | 108.13 грн |
| 500+ | 89.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDI150N10 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 49A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDI150N10 за ціною від 81.28 грн до 248.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDI150N10 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V |
на замовлення 10351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDI150N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDI150N10 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; I2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Pulsed drain current: 228A Power dissipation: 110W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FDI150N10 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; I2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Pulsed drain current: 228A Power dissipation: 110W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |