Продукція > ONSEMI > FDI150N10
FDI150N10

FDI150N10 onsemi

FDI150N10-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDI150N10 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 49A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDI150N10

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDI150N10 FDI150N10 onsemi FDI150N10-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10 ONSEMI FDI150N10-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10 FDI150N10 ONSEMI FDI150N10-D.pdf Description: ONSEMI - FDI150N10 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10 ON Semiconductor FDI150N10-D.PDF Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10 FDI150N10-D.PDF
FDI150N10
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10 FDI150N10-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10 FDI150N10-D.pdf
FDI150N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDI150N10 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10 FDI150N10-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.