Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDI9406-F085
FDI9406-F085

FDI9406-F085 Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003586913-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: FDI9406 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
229+87.36 грн
Мінімальне замовлення: 229
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDI9406-F085 Fairchild Semiconductor

Description: FDI9406 - N-CHANNEL POWERTRENCH, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK (TO-262), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDI9406-F085 за ціною від 87.36 грн до 132.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDI9406_F085 FDI9406_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS47107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 110A, 40V, 0.0022OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
229+87.36 грн
Мінімальне замовлення: 229
FDI9406_F085 Виробник : ONSEMI FAIRS47107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDI9406_F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
276+132.56 грн
Мінімальне замовлення: 276
FDI9406-F085 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDI9406_F085-1122786.pdf MOSFET 40V, 110A, 2.2m Ohm NChannel PowerTrench
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)