FDL100N50F ON Semiconductor
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 1051.35 грн |
| 100+ | 1012.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDL100N50F ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDL100N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.043 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5kW, Bauform - Transistor: TO-264AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDL100N50F за ціною від 662.28 грн до 1429.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDL100N50F | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDL100N50F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDL100N50F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDL100N50F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDL100N50F | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs UniFET 500V |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDL100N50F | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDL100N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.043 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5kW Bauform - Transistor: TO-264AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDL100N50F | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; +/-30V; 43mOhm; 100A; 2,5kW; -55°C~150°C; FDL100N50F TFDL100n50f кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| FDL100N50F | Виробник : ONSEMI |
FDL100N50F THT N channel transistors |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
FDL100N50F Код товару: 207644
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|