Інші пропозиції FDL100N50F за ціною від 680.89 грн до 1266.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDL100N50F | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: UniFET™ Type of transistor: N-MOSFET Case: TO264 Kind of package: tube Drain-source voltage: 500V Drain current: 100A Gate charge: 238nC On-state resistance: 55mΩ Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 2.5kW Polarisation: unipolar |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FDL100N50F | ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; +/-30V; 43mOhm; 100A; 2,5kW; -55°C~150°C; FDL100N50F TFDL100n50fкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FDL100N50F | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FDL100N50F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDL100N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.043 ohm, TO-264AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 2.5kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-264AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
FDL100N50F | onsemi |
MOSFETs UniFET 500V |
на замовлення 2562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
FDL100N50F | onsemi / Fairchild |
MOSFETs UniFET 500V |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDL100N50F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Gate charge: 238nC
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 2.5kW
Polarisation: unipolar
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Gate charge: 238nC
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 2.5kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1099.16 грн |
| FDL100N50F |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; +/-30V; 43mOhm; 100A; 2,5kW; -55°C~150°C; FDL100N50F TFDL100n50f
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; +/-30V; 43mOhm; 100A; 2,5kW; -55°C~150°C; FDL100N50F TFDL100n50f
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 1173.77 грн |
| FDL100N50F |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1266.20 грн |
| 25+ | 779.01 грн |
| 100+ | 680.89 грн |
| FDL100N50F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDL100N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.043 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
Description: ONSEMI - FDL100N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.043 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDL100N50F |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs UniFET 500V
MOSFETs UniFET 500V
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDL100N50F |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs UniFET 500V
MOSFETs UniFET 500V
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






