Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDM2509NZ
FDM2509NZ

FDM2509NZ Fairchild Semiconductor

FAIRS23951-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
807+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 807
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDM2509NZ Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 800mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin.

Інші пропозиції FDM2509NZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDM2509NZ Виробник : FAIRCHILD FDM2509NZ.pdf FAIRS23951-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw QFN 0642+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDM2509NZ FDM2509NZ Виробник : onsemi FDM2509NZ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.