Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDM3622
FDM3622

FDM3622 ON Semiconductor

fdm3622jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+50.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDM3622 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDM3622 за ціною від 44.72 грн до 156.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDM3622 FDM3622 Виробник : onsemi / Fairchild FDM3622_D-2312484.pdf MOSFET 100V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 4158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.44 грн
10+106.89 грн
100+72.30 грн
500+61.25 грн
1000+49.90 грн
3000+46.93 грн
6000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDM3622 FDM3622 Виробник : onsemi fdm3622-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.58 грн
10+96.34 грн
100+65.40 грн
500+48.96 грн
1000+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDM3622 FDM3622 Виробник : onsemi fdm3622-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.