Продукція > IXYS > FDM47-06KC5
FDM47-06KC5
  • FDM47-06KC5
  • FDM47-06KC5

FDM47-06KC5 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F363DA39EA5820&compId=FDM47-06KC5.pdf?ci_sign=01c8a9463d526f84120914de2773f068278b2c9b Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolar; 600V; 32A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™; HiPerDynFRED; Multi-Chip Configurations
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: diode/transistor
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Topology: buck chopper
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+667.67 грн
3+591.40 грн
10+569.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDM47-06KC5 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolar; 600V; 32A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™; HiPerDynFRED; Multi-Chip Configurations, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 32A, Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 45mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 150nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: diode/transistor, Features of semiconductor devices: super junction coolmos, Topology: buck chopper, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції FDM47-06KC5 за ціною від 683.96 грн до 801.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDM47-06KC5
+1
 		FDM47-06KC5 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F363DA39EA5820&compId=FDM47-06KC5.pdf?ci_sign=01c8a9463d526f84120914de2773f068278b2c9b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolar; 600V; 32A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™; HiPerDynFRED; Multi-Chip Configurations
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: diode/transistor
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Topology: buck chopper
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+801.20 грн
3+736.97 грн
10+683.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDM47-06KC5 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_multi-chip_config_f__47-06kc5_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDM47-06KC5 FDM47-06KC5 Виробник : IXYS media-3321906.pdf MOSFETs CoolMOS Power MOSFET w/ HiPerDyn FRED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.