FDMA008P20LZ ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 97904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 87+ | 8.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA008P20LZ ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: MicroFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції FDMA008P20LZ за ціною від 8.57 грн до 19.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMA008P20LZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 97904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FDMA008P20LZ | Виробник : onsemi |
Description: SINGLE P-CHANNEL POWERTRENCH MOS Packaging: Bulk Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4383 pF @ 10 V |
на замовлення 97900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FDMA008P20LZ | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET CSP |
на замовлення 4347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |