
FDMA037N08LC onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 44.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA037N08LC onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMA037N08LC за ціною від 45.09 грн до 129.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMA037N08LC | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMA037N08LC | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V |
на замовлення 11587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDMA037N08LC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
FDMA037N08LC | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMA037N08LC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
FDMA037N08LC | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6A; Idm: 55A; 2.4W; WDFN6 Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 6A On-state resistance: 61mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 55A Case: WDFN6 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
FDMA037N08LC | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6A; Idm: 55A; 2.4W; WDFN6 Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 6A On-state resistance: 61mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 55A Case: WDFN6 |
товару немає в наявності |