FDMA1023PZ

FDMA1023PZ ON Semiconductor


3345429786716666fdma1023pz.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA1023PZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMA1023PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.06 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: µFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMA1023PZ за ціною від 20.58 грн до 105.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMA1023PZ FDMA1023PZ Виробник : ON Semiconductor 3345429786716666fdma1023pz.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.00 грн
6000+25.30 грн
9000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZ FDMA1023PZ Виробник : onsemi fdma1023pz-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.02 грн
6000+24.12 грн
9000+23.15 грн
15000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZ FDMA1023PZ Виробник : ON Semiconductor 3345429786716666fdma1023pz.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.85 грн
6000+27.11 грн
9000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZ FDMA1023PZ Виробник : ONSEMI fdma1023pz-d.pdf Description: ONSEMI - FDMA1023PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+95.28 грн
13+66.44 грн
100+44.29 грн
500+32.68 грн
1000+27.00 грн
5000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZ FDMA1023PZ Виробник : onsemi / Fairchild CA3ED07CB1A355061243ABBFC872A385B9334FB300307C163C24DE7AED9057E9.pdf MOSFETs -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.76 грн
10+63.09 грн
100+36.34 грн
500+28.46 грн
1000+25.79 грн
3000+21.19 грн
6000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZ FDMA1023PZ Виробник : onsemi fdma1023pz-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 31331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.12 грн
10+63.52 грн
100+42.01 грн
500+30.76 грн
1000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZ FDMA1023PZ Виробник : ON Semiconductor 3345429786716666fdma1023pz.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZ FDMA1023PZ Виробник : ON Semiconductor 3345429786716666fdma1023pz.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZ
+1
FDMA1023PZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF2F8706057E28&compId=FDMA1023PZ.pdf?ci_sign=38fcd52e75e1f2ae3c9c43fc4f339ac121a1cc8e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.7A; 1.5W; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.195Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Case: MicroFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1023PZ
+1
FDMA1023PZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF2F8706057E28&compId=FDMA1023PZ.pdf?ci_sign=38fcd52e75e1f2ae3c9c43fc4f339ac121a1cc8e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.7A; 1.5W; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.195Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Case: MicroFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.