на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA1023PZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMA1023PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.06 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDMA1023PZ за ціною від 17.94 грн до 61.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA1023PZ | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA1023PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 32305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA1023PZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 4920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA1023PZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA1023PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.06 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 +1 |
FDMA1023PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.7A; 1.5W; MicroFET Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.7A Power dissipation: 1.5W Case: MicroFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
+1 |
FDMA1023PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.7A; 1.5W; MicroFET Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.7A Power dissipation: 1.5W Case: MicroFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |