на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 39.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA1024NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 700mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: FET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 700mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDMA1024NZ за ціною від 33.95 грн до 160.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA1024NZ | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA1024NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA1024NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA1024NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 700mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA1024NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA1024NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA1024NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench |
на замовлення 6878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA1024NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 2663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA1024NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 700mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA1024NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMA1024NZ | Виробник : ONSEMI |
FDMA1024NZ SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
FDMA1024NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Part Status: Active |
товару немає в наявності |