FDMA1028NZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.78 грн |
| 6000+ | 15.75 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA1028NZ onsemi
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: µFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDMA1028NZ за ціною від 13.36 грн до 89.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMA1028NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 11113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMA1028NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 273000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMA1028NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 237345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMA1028NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMA1028NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMA1028NZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMA1028NZ | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 10592 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMA1028NZ | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) |
на замовлення 18636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMA1028NZ | onsemi |
MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 21 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMA1028NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDMA1028NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMA1028NZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 11113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1451+ | 25.19 грн |
| 10000+ | 22.46 грн |
| FDMA1028NZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1451+ | 25.19 грн |
| 10000+ | 22.46 грн |
| 100000+ | 18.82 грн |
| FDMA1028NZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 237345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1451+ | 25.19 грн |
| 10000+ | 22.46 грн |
| 100000+ | 18.82 грн |
| FDMA1028NZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 470+ | 31.10 грн |
| 560+ | 26.11 грн |
| 568+ | 25.77 грн |
| 644+ | 21.89 грн |
| 1000+ | 17.43 грн |
| FDMA1028NZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 35.71 грн |
| 26+ | 31.10 грн |
| 100+ | 25.18 грн |
| 250+ | 23.01 грн |
| 500+ | 19.46 грн |
| 1000+ | 16.74 грн |
| FDMA1028NZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 58.49 грн |
| 387+ | 37.87 грн |
| 500+ | 30.33 грн |
| FDMA1028NZ |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 10592 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.29 грн |
| 10+ | 42.86 грн |
| 100+ | 24.13 грн |
| 500+ | 18.56 грн |
| 1000+ | 15.74 грн |
| 3000+ | 14.55 грн |
| 6000+ | 13.36 грн |
| FDMA1028NZ |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
на замовлення 18636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.82 грн |
| 10+ | 43.88 грн |
| 50+ | 32.32 грн |
| 100+ | 26.80 грн |
| 500+ | 20.60 грн |
| FDMA1028NZ |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 21 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.21 грн |
| 10+ | 55.24 грн |
| 100+ | 31.26 грн |
| 500+ | 19.97 грн |
| 1000+ | 18.04 грн |
| 3000+ | 14.55 грн |
| FDMA1028NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMA1028NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




