FDMA1029PZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.72 грн |
| 6000+ | 13.94 грн |
| 9000+ | 13.32 грн |
| 15000+ | 11.86 грн |
| 21000+ | 11.48 грн |
| 30000+ | 11.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA1029PZ onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 700mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDMA1029PZ за ціною від 16.44 грн до 64.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMA1029PZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 11785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA1029PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 700mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad |
на замовлення 86974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|