Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMA1032CZ
FDMA1032CZ

FDMA1032CZ ON Semiconductor

fdma1032cz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
593+61.76 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 593 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA1032CZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: µFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDMA1032CZ за ціною від 14.14 грн до 74.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMA1032CZ FDMA1032CZ onsemi / Fairchild FDMA1032CZ-D.PDF MOSFETs 20V Complementary PowerTrench MOSFET
на замовлення 6856 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+73.20 грн
10+45.16 грн
100+25.28 грн
500+19.71 грн
1000+17.45 грн
3000+15.05 грн
6000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZ FDMA1032CZ ONSEMI FDMA1032CZ-D.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 4/7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7/-3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68/95mΩ
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.97 грн
8+60.11 грн
10+52.89 грн
46+21.40 грн
125+20.21 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZ FDMA1032CZ ONSEMI FDMA1032CZ-D.PDF Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZ FDMA1032CZ ONSEMI FDMA1032CZ-D.PDF Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZ FDMA1032CZ-D.PDF
FDMA1032CZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 20V Complementary PowerTrench MOSFET
на замовлення 6856 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.20 грн
10+45.16 грн
100+25.28 грн
500+19.71 грн
1000+17.45 грн
3000+15.05 грн
6000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZ FDMA1032CZ-D.PDF
FDMA1032CZ
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 4/7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7/-3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68/95mΩ
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+74.97 грн
8+60.11 грн
10+52.89 грн
46+21.40 грн
125+20.21 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZ FDMA1032CZ-D.PDF
FDMA1032CZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA1032CZ FDMA1032CZ-D.PDF
FDMA1032CZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.