FDMA2002NZ onsemi / Fairchild
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.86 грн |
| 10+ | 46.93 грн |
| 100+ | 29.35 грн |
| 500+ | 22.43 грн |
| 1000+ | 20.55 грн |
| 3000+ | 18.17 грн |
| 6000+ | 17.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA2002NZ onsemi / Fairchild
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 650mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2).
Інші пропозиції FDMA2002NZ за ціною від 17.82 грн до 84.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA2002NZ | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMA2002NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMA2002NZ | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMA2002NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 650mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMA2002NZ | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 28238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
FDMA2002NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMA2002NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 650mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMA2002NZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 10A; 1.5W; ESD Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: SMD Case: MicroFET Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 3nC On-state resistance: 268mΩ Power dissipation: 1.5W Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V |
товару немає в наявності |