Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDMA2002NZ
FDMA2002NZ

FDMA2002NZ onsemi / Fairchild

FDMA2002NZ_D-1807640.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 33356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.73 грн
10+46.83 грн
100+29.28 грн
500+22.38 грн
1000+20.50 грн
3000+18.13 грн
6000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA2002NZ onsemi / Fairchild

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 650mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2).

Інші пропозиції FDMA2002NZ за ціною від 22.23 грн до 84.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMA2002NZ FDMA2002NZ Виробник : ON Semiconductor 3677827918705162fdma2002nz.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+64.89 грн
201+64.23 грн
258+50.15 грн
260+47.87 грн
500+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZ FDMA2002NZ Виробник : ON Semiconductor 3677827918705162fdma2002nz.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+78.80 грн
11+69.52 грн
25+68.82 грн
100+51.81 грн
250+47.49 грн
500+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZ FDMA2002NZ Виробник : onsemi fdma2002nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.71 грн
10+51.21 грн
100+33.67 грн
500+24.51 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZ FDMA2002NZ Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMA2002NZ-1305561.pdf MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 28238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZ FDMA2002NZ Виробник : ON Semiconductor 3677827918705162fdma2002nz.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA2002NZ FDMA2002NZ Виробник : onsemi fdma2002nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.