
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 20.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA2002NZ ON Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 650mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2).
Інші пропозиції FDMA2002NZ за ціною від 16.61 грн до 85.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMA2002NZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 650mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) |
на замовлення 297000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMA2002NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMA2002NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 33356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMA2002NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMA2002NZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 650mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) |
на замовлення 298082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMA2002NZ | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
![]() |
на замовлення 28238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FDMA2002NZ | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
FDMA2002NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |