FDMA3023PZ onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 23.90 грн |
| 6000+ | 21.31 грн |
| 9000+ | 20.49 грн |
| 15000+ | 18.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA3023PZ onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Part Status: Active.
Інші пропозиції FDMA3023PZ за ціною від 20.92 грн до 93.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA3023PZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench |
на замовлення 30368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA3023PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 17490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA3023PZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMA3023PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.4W; WDFN6 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: WDFN6 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FDMA3023PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.4W; WDFN6 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: WDFN6 |
товару немає в наявності |