Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMA410NZ
FDMA410NZ

FDMA410NZ ON Semiconductor

fdma410nz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.32 грн
6000+32.27 грн
9000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMA410NZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: MicroFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMA410NZ за ціною від 26.40 грн до 83.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMA410NZ FDMA410NZ ON Semiconductor fdma410nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.59 грн
6000+32.52 грн
9000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ FDMA410NZ ON Semiconductor fdma410nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.12 грн
6000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ FDMA410NZ ON Semiconductor 3653617810248058fdma410nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ FDMA410NZ ON Semiconductor fdma410nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+65.39 грн
219+64.73 грн
269+50.66 грн
500+41.40 грн
1000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ FDMA410NZ ON Semiconductor fdma410nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+83.64 грн
12+65.39 грн
25+64.73 грн
100+50.75 грн
250+46.91 грн
500+39.75 грн
1000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ FDMA410NZ onsemi fdma410nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ FDMA410NZ ON Semiconductor / Fairchild FDMA410NZ-1294960.pdf MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ FDMA410NZ onsemi / Fairchild FDMA410NZ_D-2312376.pdf MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch
на замовлення 290950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ FDMA410NZ ONSEMI 2572512.pdf Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ FDMA410NZ ONSEMI 2572512.pdf Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ fdma410nz-d.pdf
FDMA410NZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.59 грн
6000+32.52 грн
9000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ fdma410nz-d.pdf
FDMA410NZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.12 грн
6000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ 3653617810248058fdma410nz-d.pdf
FDMA410NZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ fdma410nz-d.pdf
FDMA410NZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
216+65.39 грн
219+64.73 грн
269+50.66 грн
500+41.40 грн
1000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ fdma410nz-d.pdf
FDMA410NZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+83.64 грн
12+65.39 грн
25+64.73 грн
100+50.75 грн
250+46.91 грн
500+39.75 грн
1000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ fdma410nz-d.pdf
FDMA410NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ FDMA410NZ-1294960.pdf
FDMA410NZ
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ FDMA410NZ_D-2312376.pdf
FDMA410NZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch
на замовлення 290950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ 2572512.pdf
FDMA410NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA410NZ 2572512.pdf
FDMA410NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.