| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 30.72 грн |
| 6000+ | 29.75 грн |
| 9000+ | 29.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA410NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: MicroFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDMA410NZ за ціною від 23.78 грн до 81.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMA410NZ | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA410NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA410NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA410NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA410NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA410NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA410NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch |
на замовлення 290950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA410NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA410NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FDMA410NZ | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch |
на замовлення 5984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDMA410NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMA410NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |