
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 23.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA410NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: MicroFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDMA410NZ за ціною від 21.14 грн до 74.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMA410NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMA410NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMA410NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMA410NZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMA410NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMA410NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMA410NZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: MicroFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMA410NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMA410NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 290950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMA410NZ | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMA410NZ | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
![]() |
на замовлення 5984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMA410NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
FDMA410NZ | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
FDMA410NZ | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |