FDMA420NZ onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 20.31 грн |
| 6000+ | 18.08 грн |
| 9000+ | 17.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA420NZ onsemi
Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: FET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDMA420NZ за ціною від 18.49 грн до 90.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA420NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA420NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V |
на замовлення 12250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA420NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA420NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V |
на замовлення 5077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMA420NZ |
|
на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| FDMA420NZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 24A; 2.4W; WDFN6 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.7A On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 24A Case: WDFN6 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FDMA420NZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 24A; 2.4W; WDFN6 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.7A On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 24A Case: WDFN6 |
товару немає в наявності |