
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 24.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA430NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.0236 ohm, µFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: FET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDMA430NZ за ціною від 17.85 грн до 89.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMA430NZ | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMA430NZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMA430NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 101341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMA430NZ | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 11980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMA430NZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
![]() |
на замовлення 18773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
FDMA430NZ | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |