на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 25.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA430NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: µFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMA430NZ за ціною від 26.34 грн до 87.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMA430NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMA430NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMA430NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMA430NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDMA430NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDMA430NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDMA430NZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.4W; MicroFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 2.4W Case: MicroFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 61mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |