FDMA510PZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA510PZ onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDMA510PZ за ціною від 21.50 грн до 92.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMA510PZ | onsemi / Fairchild |
MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench |
на замовлення 26065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMA510PZ | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFETInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMA510PZ | Fairchil |
10+ SOT153 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMA510PZ |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench
MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench
на замовлення 26065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 65.70 грн |
| 10+ | 57.31 грн |
| 100+ | 38.20 грн |
| 500+ | 30.24 грн |
| 1000+ | 24.18 грн |
| 3000+ | 21.85 грн |
| 6000+ | 21.50 грн |
| FDMA510PZ |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.77 грн |
| 10+ | 56.27 грн |
| 100+ | 37.10 грн |
| 500+ | 27.07 грн |
| 1000+ | 24.58 грн |


